Бренд:
Samsung
Буферная память:
256 МБ
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Интерфейс:
SATA III
Категория Применения:
1TB
Максимальная скорость записи:
530 Мб/с
Максимальная скорость чтения:
560 Мб/с
Объем накопителя:
1024 ГБ
Потребляемая мощность:
4 Вт
Ресурс TBW:
360 Tb
Тип памяти NAND:
V-NAND
Толщина:
6.8 мм
Форм-фактор:
2.5"